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生長(zhǎng)方法
  Growth Method 

   VGF 

  摻雜類型
  Dopant 

  P型：鋅 
  p-type: Zn 

  N型：硅
  n-type: Si

  晶片形狀
  Wafer Shape 

  圓形（尺寸2、3、4、6英寸）
  Round (DIA: 2", 3", 4", 6") 

  晶向 
  Surface Orientation * 

  (100)±0.5° 

  * Other Orientations maybe available upon request 
    其他晶向要求可根據(jù)客戶需求加工 

Dopant
摻雜

硅 （N 型）
Si (n-type)

鋅 （P 型）
Zn (p-type)

載流子濃度
Carrier Concentration (cm-3)

( 0.8-4) × 1018

( 0.5-5) × 1019

遷移率 
  Mobility (cm2/V.S.)

( 1-2.5) × 103

50-120

  位錯(cuò) 
  Etch Pitch Density (cm2) 

 100-5000

3,000-5,000

直徑
Wafer Diameter (mm)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

  厚度 
  Thickness (μm) 

350±25

625±25

625±25

  TTV [P/P] (μm) 

≤ 4

≤ 4

≤ 4

  TTV [P/E] (μm) 

≤ 10

≤ 10

≤ 10

  WARP (μm) 

≤ 10

≤ 10

≤ 10

OF (mm)

17±1

22±1

32.5±1

OF / IF (mm)

7±1

12±1

18±1

Polish*

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

*E=Etched, P=Polished（*E=腐蝕, P=拋光）

  **If needed by customer 
      根據(jù)客戶需要 

生長(zhǎng)方法

  Growth Method 

   VGF 

  摻雜類型

  Dopant 

  SI 型：碳

SI Type:  Carbon 

  晶片形狀

  Wafer Shape 

  圓形（尺寸2、3、4、6英寸）

  Round (DIA: 2", 3", 4", 6") 

  晶向 

  Surface Orientation * 

  (100)±0.5° 

  * Other Orientations maybe available upon request 

    其他晶向要求可根據(jù)客戶需求加工 

  電阻率 

  Resistivity  (Ω.cm) 

≥ 1 × 10⁷

≥ 1 × 10⁸

遷移率

Mobility (cm²/V.S)

≥ 5,000

≥ 4,000

  位錯(cuò) 

  Etch Pitch Density (cm²) 

  1,500-5,000

1,500-5,000

晶片直徑

Wafer Diameter (mm)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

150±0.3

  厚度 

  Thickness (μm) 

350±25 

625±25

625±25

675±25 

  TTV [P/P] (μm) 

≤ 4

≤ 4

≤ 4

≤ 4

  TTV [P/E] (μm) 

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 10

  WARP (μm) 

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 15

OF (mm)

17±1

22±1

32.5±1

NOTCH

OF / IF (mm)

7±1

12±1

18±1

N/A

Polish*

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

E/E,

P/E,

P/P

*E=Etched, P=Polished （*E=腐蝕, P=拋光）

  **If needed by customer 

      根據(jù)客戶需要